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高純鎢靶 鎢鈦靶
用途：
高純鎢靶和高純鎢鈦合金靶、鎢硅復(fù)合靶材通常被施以磁控濺射的方式制作各種復(fù)雜和高性能的薄膜材料。由于高純鎢或超純鎢（5 N或6 N）具有對電子遷移的高電阻、高溫穩(wěn)定性以及能形成穩(wěn)定的硅化物，在電子工業(yè)中常以薄膜形式用作柵極、連接、過渡和障礙金屬。超高純鎢及其硅化物還用于超大規(guī)模集成電路作為電阻層、擴(kuò)散阻擋層等以及在金屬氧化物半導(dǎo)體型晶體管中作為門材料及連接材料等。鎢鈦合金濺射靶材常用于制作薄膜系太陽能電池的過渡金屬層。
規(guī)格：
|
名稱 |
分子式 |
規(guī)格 |
尺寸 |
相對密度 |
晶粒度 |
缺陷率 |
|
|
純鎢靶 |
W |
4N（99.99%） |
英寸 |
毫米 |
≥99% |
≯50µm |
0 |
|
5N（99.999%） |
D（6,8,10,12） H（0.25,0.5,0.75） |
直徑150～350 厚度6～25 |
|||||
|
鎢鈦靶 |
WTi10 WTi20 |
4N（99.99%） |
≥99% |
≯50µm |
0 |
||
|
4N5（99.995%） |
|||||||
化學(xué)成分
|
規(guī)格等級 化學(xué)指標(biāo) |
W/(W+Ti)≥99.99% |
W/(W+Ti)≥99.995% |
W≥99.999% |
|||||||||
|
痕量雜質(zhì)總和 |
≯100 ppm |
≯50 ppm |
≯10 ppm |
|||||||||
|
雜質(zhì)指標(biāo)(ppm) |
最大值 |
典型值 |
最大值 |
典型值 |
最大值 |
典型值 |
||||||
|
放射性元素 |
U |
— |
0.2 |
0.1 |
0.05 |
0.0008 |
0.0005 |
|||||
|
Th |
— |
0.2 |
0.1 |
0.05 |
0.0008 |
0.0005 |
||||||
|
堿金屬元素 |
Li |
1 |
0.05 |
0.02 |
0.01 |
0.01 |
0.003 |
|||||
|
Na |
5 |
1 |
0.5 |
0.2 |
0.1 |
0.05 |
||||||
|
K |
5 |
1 |
0.1 |
0.05 |
0.05 |
0.03 |
||||||
|
Mo，Re |
10 |
5 |
10 |
5 |
1 |
0.5 |
||||||
|
Fe，Cr |
10 |
5 |
5 |
3 |
0.5 |
0.3 |
||||||
|
Ca，Si，Cu，Ni，Al，Zn，Sn，Mn，Co，Hg，V |
2 |
1 |
0.5 |
0.3 |
0.2 |
0.2 |
||||||
|
P，As，Se |
2 |
1 |
0.5 |
0.2 |
0.2 |
0.2 |
||||||
|
B，Pb，Sb，Be，Ba，Bi，Cd，Ge，Nb，Pt，Mg，Zr，Au，In，Ga，Ag |
1 |
0.5 |
0.5 |
0.1 |
0.1 |
0.1 |
||||||
|
其它所有單個元素 |
1 |
0.5 |
0.5 |
0.1 |
0.1 |
0.1 |
||||||
|
氣體分析 （≯，ppm） |
O |
C |
N |
H |
S |
|||||||
|
30 |
20 |
20 |
20 |
10 |
||||||||
根據(jù)使用目的不同，對高純鎢靶和鎢鈦靶雜質(zhì)含量有不同要求，一般要求化學(xué)純度在99.99%～99.999%之間，我們也可根據(jù)用戶要求特別定制適合應(yīng)用的其它規(guī)格。
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